技术编号:8488853
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体芯片制造过程中,功率元器件产品的金属层,多采用铝/硅(1%)/铜(0.5%)合金,厚度一般为3微米或4微米。由于功率元器件产品的尺寸较大,铝厚度为3微米的功率器件使用全湿法进行铝刻蚀,而因全湿法铝刻蚀的横向腐蚀过大,铝厚度为4微米的功率元器件产品一般使用“湿+干”铝刻蚀。在湿法铝刻蚀工艺流程中,腐蚀液是不腐蚀硅的,因此,在上述湿法铝刻蚀完成之后,金属层中的硅渣将会残留下来。而在“湿+干”铝刻蚀的工艺中,湿法铝腐蚀后,干法铝刻蚀之前,则必须通过干法去...
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