技术编号：8488860
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。平面DMOS管是最典型的半导体器件之一，目前大量应用于电源适配器、逆变器、氙气灯、LED驱动等电路中。在高压DMOS管的制造技术中，单脉冲雪崩击穿能量EAS反映了器件作为开关的抗冲击能力，是衡量器件可以安全吸收反向雪崩能量的高低，因此，提高器件的EAS抗冲击能力非常重要。一般的传统方法如图1所示，采用侧墙(Spacer)阻挡工艺，先沉淀一层Spacer再进行P+注入，根据具体情况还可以选择回刻工艺。但是，该方法在注入P+时还需要沉淀Spacer,工艺复杂，...
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