技术编号:8488895
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。ITO(indium tin oxide,铟锡氧化物)由于具有较高的电导率和较高的光透过率、以及良好的附着性和稳定性、并能被酸刻蚀等优点,而被用于制作透明电极。然而,由于存在很多会影响ITO沉积的因素,例如基板温度的改变、ITO沉积速率的改变、ITO沉积时水汽量的调整,都会造成ITO结晶形态的改变,从而在刻蚀过程中导致刻蚀残留。以制备用于液晶显示装置的阵列基板为例如图1所示,在形成像素电极50的过程中,会产生ITO残留501,特别是当ITO残留501位于半...
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