技术编号:8488957
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,为了提高芯片中的功率半导体器件阻断高压性能及该器件的可靠性,通常沿功率半导体器件有源区外围依次设置分压结构和截止环,另外,还可在截止环外围设置划片槽,从而形成如图1所示的功率半导体器件,图1为现有技术中功率半导体器件的剖面结构示意图,其中,11为有源区,12为分压区,13为截止环,14为划片槽。若功率半导体器件为N型衬底,则其中的分压结构为P型掺杂,通过在功率半导体器件外围注入高剂量的N型掺杂,从而形成如图1所示的截止环。但现有技术中的截止环由于采用...
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