技术编号：8488976
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明在FINFET装置的源/漏区上形成外延材料的方法及所形成装置本发明通常涉及FET (场效应晶体管)半导体装置的制造，尤其涉及在FinFET (鳍式场效应晶体管)半导体装置的源/漏区上形成外延半导体材料的各种方法以及由此形成的装置结构。背景技术制造例如CPU(中央处理单元)、存储装置、ASIC(专用集成电路！applicat1nspecific integrated circuit)等先进集成电路需要依据特定的电路布局在给定的芯片面积上形成大量电路元...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。