技术编号：8488982
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种微电子器件及其制造方法，具体涉及。背景技术碳化硅(SiC)具有大约3X 106V/cm的临界击穿场强、约2.0X 107cm/sec的高饱和漂移速度和约4.9W/cm.K的高热导率，理论上可以制造出相对于硅(Si)器件更高耐压、更高工作温度、更大功率密度和更高频率的器件。因此SiC被认为理想的适用于高压应用。但是制造中的难点及制造过程的复杂程度限制了 SiC器件在高电压场合中的应用。发明内容针对现有技术的不足，本发明的一个目的是提供一种具有台...
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