技术编号:8489017
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明设及发光二极管领域,特别设及一种发光二极管外延片及其制备方法、发 光二极管巧片制备及衬底回收方法。背景技术[000引近年来,具备高亮度特性的AlGalnP发光二极管(Li曲t血itingDiode,简称LED)的应用领域日趋广泛,市场需求不断扩大。 AlGalnPL邸外延片包括GaAs衬底和在GaAs衬底上生长的外延层。在完成 AlGalnPL邸外延片的制备之后,将进行巧片工艺。在巧片工艺阶段,需去除衬底。现有去 除衬底的方式是通过研磨等方式去除衬...
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