技术编号：8489024
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体发光二极管(Light-Emitting D1des，简称“LED”)具有诸多的优良特性而备受关注，如节能环保、可靠性高、使用寿命长等。近年来随着LED的广泛应用，增加LED的发光效率显得越来越重要。常规的GaN基LED外延片的结构包括衬底和由缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层、以及P型氮化镓层构成的外延层。在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题由于衬底同外延层间存在着晶格失配和热膨胀系数差异，因而会导致LED的多量子阱层中存在较大的...
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