技术编号:8490973
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 制造半导体装置时,进行在晶片表面形成导电膜,并通过光刻、蚀刻等形成布线层 的步骤,在布线层上形成层间绝缘膜的步骤等,通过这些步骤在晶片表面上产生由金属等 导电体或绝缘体构成的凹凸。近年来,以半导体集成电路的高密度化为目的,正在进行布线 的微细化或多层布线化,与此同时将晶片表面的凹凸平坦化的技术变得重要。 作为将晶片表面的凹凸平坦化的方法,一般采用CMP法。CMP是在将晶片的被抛光 面压在抛光垫的抛光面上的状态下,使用磨粒分散的浆料状的抛光剂(以下称为浆料...
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