技术编号:8490975
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 制造半导体器件时,进行在晶片表面形成导电膜,并通过进行光刻、蚀刻等形成布 线层的步骤、在布线层上形成层间绝缘膜的步骤等,由于这些步骤导致在晶片表面上产生 由金属等导电体及绝缘体构成的凹凸。近年来,以半导体集成电路的高密度化为目的,进行 布线的微细化或多层布线化,与此同时将晶片表面的凹凸平坦化的技术变得尤为重要。 作为将晶片表面的凹凸平坦化的方法,一般采用化学机械抛光法(以下,称为 CMP)。CMP是在将晶片的被抛光面推压在抛光垫的抛光面上的状态下,使用磨...
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