技术编号:8491843
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明平坦的SiC半导体基板 相关专利申请的交叉引用 本申请要求2012年10月26日提交的美国临时专利申请No. 61/719, 310和2013 年8月6日提交的美国专利申请No. 13/959, 896的权益和优先权,该两份专利申请的名称 均为"FLATSiCSEMICONDUCTORSUBSTRATE"(平坦的SiC半导体基板),它们的全部公开 内容据此W引用方式并入本文。背景技术 1.巧术领域 本公开设及半导体晶片的制造,更具体地讲,设及由碳化...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。