技术编号：8491873
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 NOR或NAND闪存通常用作数据存储用的半导体非易失性存储器。该些半导体非易 失性存储器通过使存储元件和驱动晶体管微型化实现了容量的增大；然而，由于写入和擦 除必需使用高电压，并且注入浮动栅中的电子的数量受限，所W已指出了微型化的限制。 目前，作为能够超越微型化的限制的下一代非易失性存储器，已提出了诸如 ReRAM(电阻随机存取存储器）和PRAM(相变化随机存取存储器）等电阻变化存储器（例 如，参照PTL1和NP化1)。该些存储器具有其中在两个电极之间设...
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