技术编号:8499271
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明本申请是申请日为2011年12月22日、申请号为2011104456147、发明名称为“”的申请的分案申请。本发明涉及用于对半导体晶圆等基板实施等离子体处理的。背景技术在半导体装置的制造过程中,出于在半导体晶圆等基板上形成微细的电路图案的目的,反复实施蚀刻、成膜等等离子体处理。在等离子体处理中,例如在基板处理装置的能够减压地构成的处理室内相对配置的电极之间施加高频电压而产生等离子体,使等离子体作用于载置在载置台上的基板而进行蚀刻。在该等离子体处理时...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。