技术编号：8499280
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。[000引随着集成电路制造技术的快速发展，促使集成电路中的半导体器件，尤其是M0S (MetalOxideSemicon化ctor,金属-氧化物-半导体）器件的尺寸不断地缩小，W此满足 集成电路发展的小型化和集成化的要求。在M0S晶体管器件的尺寸持续缩小的过程中，现 有工艺W氧化娃或氮氧化娃作为栅介质层的工艺受到了挑战。W氧化娃或氮氧化娃作为栅 介质层所形成的晶体管出现了一些问题，包括漏电流增加W及杂质的扩散，从而影响晶体 管的阔值电压，进而影响半导体器件...
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