技术编号:8499298
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及半导体制造,尤其涉及一种。背景技术 互补型金属氧化物半导体管(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor, CMOS)使构成集成电路的基本半导体器件之一。所述互补型金属氧化物半导体管包括;P型 金属氧化物半导体(PM0S)和N型金属氧化物半导体(NM0S)。 现有技术为了在减小栅极尺寸的同时控制短沟道效应,采用高K介质材料取代常 规的氧化娃等材料作为晶体管的栅介质层,采用金属材料取代常规的多晶娃等材料作为晶 体...
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