技术编号:8499332
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在具备纵向IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)、纵向 MOSFET (MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)、纵向二极管等纵向兀件的半导体装置中,通过在半导体基板的上下两面设置的电极,向纵向元件施加电压而进行ON动作。在具备纵向元件的半导体装置中,要求抑制ON动作时的电流、发热的局部性的集中,而使半导体装置的破坏耐性提高。发明内容本发明想要解决的课题在于...
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