技术编号：8499335
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要关于制备沟槽半导体功率器件(例如DMOS器件)的方法和结构，更确切的说，本发明是关于制备带有厚度可变的栅极氧化物的沟槽半导体功率器件的器件结构和方法。背景技术DMOS (双扩散M0S)晶体管是一种MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)，利用对准到一个公共边缘的两个连续扩散步骤，构成晶体管的通道区。DMOS晶体管通常用作高电压、高电流器件，作为独立的晶体管，或者作为功率集成电路中的元件。这种应用的优势在于，DMOS晶体管可以利用很低的正向电...
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