技术编号:8499336
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。DMOS由于具有耐高压,大电流驱动能力和极低功耗等特点,目前在电源管理电路中被广泛采用。在B⑶工艺中,DMOS虽然与CMOS集成在同一块芯片中,但由于高耐压和低导通电阻的要求,DMOS在本底区和漂移区的条件与CMOS现有的工艺条件共享的前提下,其导通电阻与击穿电压存在矛盾,往往无法满足开关管应用的要求。在LDMOS器件中,导通电阻是一个重要的指标。因此,为了制作高性能的LDM0S,需要采用各种方法优化器件的导通电阻及击穿电压。目前常规的N型LDMOS的结构...
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