技术编号:8499340
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 通过利用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜来构成晶体管(也称为场 效应晶体管(FET)或薄膜晶体管(TFT))的技术受到关注。该晶体管被广泛地应用于如集 成电路(1C)及图像显示装置(显示装置)等的电子器件。作为可W应用于晶体管的半导 体薄膜,W娃为代表的半导体材料被周知。另外,作为其他材料,氧化物半导体受到关注。 例如,公开了一种技术,其中作为氧化物半导体使用包含In、Zn、Ga、Sn等的非晶 氧化物制造晶体管(参照专利文献1)。另外,也公开了一种...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。