技术编号:8499349
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。作为发光器件等半导体器件的构成材料而公知有氮化镓(GaN)。通常,为了使GaN系结晶生长,作为成为基底的基板而使用蓝宝石基板。例如,作为第I以往例而公知有如下一种方法通过向反应管内供给三甲基镓(TMGa)气体和氮(N2)气并使这些气体在已经在反应管内被加热的蓝宝石基板上发生反应,从而在蓝宝石基板上形成GaN结晶层。另外,为了廉价地制造大面积的GaN系半导体器件,能够想到使GaN系结晶在硅(Si)基板上生长。但是,由于Si和GaN的反应性较高,因此,若使Ga...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。