技术编号:8499709
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着手持设备及物联网的兴起,对集成电路小型化和节能设计的需求越来越迫切,对半导体集成电路的低供电电压设计提出了要求。由于EEPROM和闪存器件具有灵活的数据改写、掉电后所储存的数据内容不会丢失,并且可以长久保持的特性,它们在系统中的应用越来越广泛。在CMOS EEPROM或闪存器件中,无论是基于浮栅技术,或是电荷陷阱技术,通常会需要一个高电压产生电路,提供编程和擦写操作所需要的高电压。这个高电压产生电路通常由电荷泵电路来完成。图1展示了经典常规技术迪克森(...
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