技术编号：8501207
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 出于某些目的，需要使用具有低介电常数的材料。层间介电（ILD)半导体薄膜的 制造通常是通过将所需的薄膜沉积于诸如半导体基板的表面上来进行。对于一些应用来 说，要求ILD膜的介电常数小于2. 5。沉积薄膜的一种常用方法是通过旋涂沉积。在旋涂沉 积期间，将薄膜的液体前驱体涂覆至半导体晶片上，并且在沉积期间或之后，W足够高的速 度旋转晶片W使前驱体溶液的层变薄并变平。在快速旋涂步骤期间和之后，使溶剂蒸发，留 下介电材料的干燥膜。 旋涂沉积优于气相沉积过程的优点...
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