技术编号:8501223
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。传统的MOS晶体管通常横向取向为具有由跨衬底顶部表面的一距离隔离的两个源极/漏极区。在所谓的“平面”和“非平面”晶体管中,诸如三栅极或具有“环绕式栅极”架构的纳米线晶体管,第一源极/漏极材料通常与第二源极/漏极材料相同,因为难以可控地相对于源极/漏极材料中的另一个选择性地制造源极/漏极材料中的一个,尤其是考虑到在它们之间的微小横向间距(例如,?30nm或更小)。因而,随着晶体管尺寸的不断缩小,实现具有高驱动电流和/或低泄漏电流的横向FET变得日益困难。在垂...
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