技术编号:8506951
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。碳化硅单晶因其具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、良好的化学稳定性等独特的特性,与以第一代半导体材料和第二代半导体材料相比有着明显的优越性,被认为是制造光电子器件、高频大功率器件、电力电子器件理想的半导体材料,在白光照明、光存储、屏幕显示、航天航空、高温辐射环境、石油勘探、自动化、雷达与通信、汽车电子化等方面有广泛应用。在单晶衬底、同质外延半导体薄膜和器件工艺等方面发展迅速,是最理想的第三代半导体材料之一。碳...
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