技术编号：8509339
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 ZnO作为新一代宽禁带半导体，在紫外光探测器、透明电极、表面声波器件、传感器 等方面都有着广泛的应用。ZnO的能带工程一直是研宄的热点。 2004年B.K.Meyer等用反应溅射法在玻璃和c面蓝宝石上沉积得到c轴取向的极 性面ZnOS薄膜，并得到ZnOS带隙随S含量呈二次曲线变化。对于极性面ZnOS的生长技术 如PLD方法在近年来已日趋成熟。近年来，非极性面ZnO基半导体由于其克服了斯塔克效 应，能大大提高量子阱的内量子效率而成为研宄热点，而m面ZnO由...
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