技术编号：8509458
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体，已知作为一种发射短波长光如蓝光或紫外光辐射的材料。此外，因为GaN具有高的热导率和高的击穿强度，所以期望GaN能够实现例如使用硅(Si)或砷化镓(GaAs)难以实现的高频电子器件和高功率电子器件。关于GaN衬底的生产，直径(Φ)约2英寸的GaN衬底已经通过以下方式来制造用卤化物气相外延法(HVPE)在不同材料制成的基础衬底(例如蓝宝石衬底或GaAs衬底)上生长GaN厚膜，然后通过从基础衬底分离GaN厚膜。然而，因为HVP...
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