技术编号:8509459
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。砸化锡是一种有前景的不含铅的二元IV - VI族半导体化合物材料,是一种P型半导体,其直接带隙和间接带隙分别为1.3eV和0.9eV,符合太阳能电池的最优吸收带隙范围1.0eV到1.5eV。砸化锡是正交晶系的晶体结构,砸化锡中锡原子和砸原子紧紧地束缚在一起成为层状并沿着结晶的C轴堆积在一起,层与层之间由微弱的范德华力键合,使得砸化锡呈现出层状结构,这种结构导致砸化锡化合物物理性质上显示出明显的各向异性,使得对其应用和基础研宄都具有重要的意义。砸化锡半导体化...
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