技术编号：8511941
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。金属氚化物薄膜靶作为中子发生器的靶子和β辐射源在冶金、生物化学、中子治疗、中子照相、石油勘探、仪器分析等诸多领域有着特殊的用途。金属氚化物薄膜靶表面氚分布是评估金属氚化物薄膜靶性能的重要指标。金属氚化物薄膜靶表面氚分布检测目前主要采用β射线自显影技术，该技术检测过程繁琐。而且由于底片选择、放射源活度、β射线散射、暗室的设计等因素对底片曝光和显像影响较大，导致底片最佳的曝光时间及显影、定影条件不好控制、成像效果不佳。金属氚化物薄膜靶中的氚衰变产生β射线，β射...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。