技术编号：8513562
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。近年来，随着自旋电子学的飞速发展和对铁磁层材料的研宄，ε -Fe3N由于其可以高达0.5的自旋极化率，已经被认为是自旋电子学器件自旋注入与探测层材料的候选者。为了实现氮基的磁隧穿异质结，在Si衬底上的高取向晶体a -Fe/AlN/Fe3N三层结构已经成功地由分子束外延技术制备。考虑到ε-Fe3N与GaN的晶格匹配很好，已有报道表明在GaN衬底上可以利用有机金属化学气相沉积(MOCVD)即NHjPFeCpd^直接化学反应的方法生长出磁性的ε-Fe 3Ν薄膜(...
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