技术编号:8513612
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及半导体工艺领域,特别是涉及。背景技术 随着半导体技术的发展,集成电路中器件的特征尺寸越来越小,器件和系统的速 度随之提高。半导体工艺进入深亚微米阶段后,为实现高密度、高性能的器件和电路,隔离 与平坦化工艺变得原来越重要。目前,形成隔离区域的方法主要有局部氧化隔离工艺(L0C0S)或浅沟道隔离工艺 (STI)。L0C0S工艺是在晶片表面淀积一层氧化硅,然后再进行刻蚀,对部分凹进区域进行 氧化生长氧化硅,有源器件在氮化硅所确定的区域生成。但是,L0...
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