技术编号:8513667
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。氮化镓(GaN)系半导体作为以发光二极管(Light Emitting D1de ;LED)、激光二极管(Laser D1de ;LD)为代表的光设备的材料在世界中得到广泛使用。进一步地,由于氮化镓系半导体具有带隙宽、电子移动率高、饱和电子速度快以及击穿电压高等非常优异的材料物性,因此近年作为以晶体管为代表的电子设备受到关注,尤其期待在高耐压用功率设备、高频用功率设备中的应用。由于有机金属气相生长(MetalOrganic Vapor Phase Epit...
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