技术编号:8516174
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。高电子移动性晶体管(highelectron mobility transistor,HEMT)使用由具有不同频带隙能量电平的半导体材料界定的异质接面。栅极将施加的电场提供到异质接面,此使导电通道形成于HEMT的源极与漏极之间。施加于源极和漏极上的另一电场使电流流经导电通道。当栅极的施加场被去除时,即使当源极与漏极之间的施加场未被去除时,源极与漏极之间的电流也将停止流动。在施加电压比便携式半导体装置高得多的应用中使用高电压HEMT。这些晶体管被用于多种装置...
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