技术编号:8516379
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。远紫外光,例如波长小于或等于约50nm的电磁辐射(有时也称作软X射线)并且包括波长约为13.5nm的光,可用于光刻过程,以在基材(例如硅晶片)中产生极小特征。用于产生EUV光的方法包括将靶材料从液态转变为等离子体态。靶材料优选包括至少一种元素,例如氙、锂或锡,在EUV范围内具有一条或多条发射谱线。在一个此类方法中,常称为激光产生的等离子体(“LPP”),可以通过采用激光束辐射具有所需谱线发射元素的靶材料来产生所需的等离子体。一种LPP技术涉及产生靶材料滴的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。