技术编号：8519578
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在显示，通过光刻工艺制备显示装置中的薄膜晶体管、各种信号线、像素电极等结构。光刻工艺一般包括沉积一涂布光刻胶一曝光一显影一刻蚀一剥离剩余的光刻胶等步骤，其中，曝光通过曝光设备进行。图1示出了现有的曝光设备所采用的掩模板，如图1所示，掩模板I包括衬底基板10，所述衬底基板10的一个面(如图1中衬底基板10的下表面)上形成有不透光层11，该不透光层11覆盖所述衬底基板10的部分区域，从而使所述掩模板I具有与不透光层11对应的不透光区a，以及与不透光层11未覆盖...
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