技术编号:8519677
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。高阻厚层娃外延片一般指厚度介于30~150 μπι,电阻率大于15WX cm的外延片,该类型外延片主要用于MOSFET及功率放大器件。随着硅片直径的不断增大,对片内均匀性及缺陷的控制难度也随之加大。高阻厚层硅外延片通常选择掺砷和掺锑的衬底,其中掺砷(r0.002-0.004WXcm)的硅衬底相比于掺锑(r0.01-0.02WXcm)的硅衬底具有更低的电阻率,当应用于功率MOS器件时可以降低正向导通压降,同时还可省去衬底背面金属化注入的工序,可以节省器件制备...
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