技术编号:8519679
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)器件的结构中,多晶栅极通常会设计成手指状,如图1所示,A?A’为沿手指方向的剖面,B?B’为垂直于手指方向的剖面。其中,为了确保栅极的电阻尽量低,多晶栅极需要保持一定的宽度尺寸,即沿A?A’方向的手指之间连接处需要保持一定的宽度,同时在多晶栅极下方一般还会进行P+注入来保证器件的击穿电压,此时的具体结构如图2所示。在沿A?A’方向的剖面结构中,I为N型衬底,2为N型外延层,3为P-体区,4为栅氧化层,...
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