技术编号：8521621
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明属于半导体制造领域，涉及一种。背景技术 在三维集成电路制造技术中，硅的各向异性湿法蚀刻工艺被广泛应用各种微机械 结构制程上，使用的蚀刻化学品多为TMAH等化学品。硅的各向异性湿法蚀刻工艺是利用腐 蚀液对单晶硅不同晶向腐蚀速率不同的特性，使用抗蚀材料作掩模，采用湿法腐蚀手段进 行较大深度的腐蚀。 通常在硅的各向异性湿法蚀刻制程中硅被蚀刻厚度达到300~700微米，以形成 设计所需要的各种腔体结构。当前技术中使用TMAH蚀刻速率在0. 3-0. 8微米...
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