技术编号:8524340
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,在底发射型OLED的制备过程中,金属阴极的制备需要在真空蒸镀设备中进行,真空蒸镀设备中采用坩祸承装需要蒸镀的金属材料,如OLED中金属阴极的材料一般选择铝材料。在真空蒸镀形成OLED的金属阴极的过程中,熔融态的铝具有浸润坩祸的特性,在蒸镀过程中熔融状态的铝容易沿着坩祸壁爬行从而溢出坩祸,导致降温时伴随铝的凝固容易将坩祸和附近物体粘连在一起从而导致坩祸损坏;并且,蒸镀过程中坩祸所处环境中的工艺温度高达1100 °C?1200 °C,坩祸在此高温下工作时...
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