技术编号:8529326
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路制造技术的发展,集成电路的集成度不断增加,对集成电路中各种元器件的精密度要求也日益提高,而在半导体制造工艺中,无论在要求结合的晶圆之间还是在晶圆内部,晶圆表面的粗糙度对于后续工艺的精密度影响至关重要。请参照图1和图2,现有技术中,在半导体衬底I沉积绝缘层2,并制作金属线路层3后,沉积二氧化硅层4,二氧化硅层4用于绝缘,并研磨部分二氧化硅层4,由于目前的技术中,金属线路层3的厚度一般在4 ym以上,造成晶圆表面的高度差较大,必须沉积6 ym以上的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。