技术编号:8529393
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。多栅晶体管可以用于高密度集成电路器件。多栅晶体管中的一些可以包括设置在基板上的硅主体和设置在硅主体的表面上的栅极。多栅晶体管中的一些可以使用三维(3D)沟道并因而可以容易地按比例缩小。此夕卜,多栅晶体管可以具有改善的电流控制能力而不增加栅极长度。另外,多栅晶体管可以减少短沟道效应(SCE)。发明内容一种半导体器件可以包括在第一方向上从基板突出并在交叉第一方向的第二方向上延伸的有源鳍。该器件还可以包括设置在有源鳍上在交叉第二方向的第三方向上延伸的栅极电极、在...
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