技术编号:8530193
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 1971年,蔡少棠(Chua)从物理学角度出发,预测了关联电荷和磁通的第四种基本 电路元件一一'[乙阻器(memristor)的存在。由于当时忆阻器只是纯粹从数学角度上推导得 到,并没有得到足够的重视。直到2008年,惠普实验室宣布首次在物理上实现了基于TiOx 的忆阻器,才激起了人们对忆阻器的广泛兴趣,它使得基础元件在现实中增加到了四个,为 电路设计及应用提供了全新的研宄空间。忆阻器是一种具有记忆功能的非线性电阻,可以 记忆流经它的电荷数量,通过控制...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。