技术编号:8531265
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明用于薄膜沉积反应器和薄膜层的原位干式清洁的过程和方 法 发明领域 本发明涉及一种用于薄膜沉积反应器内表面的干式腐蚀或清洁的方法、组合物和 装置。 发明背景 金属有机气相外延(MOVPE),亦称为有机金属气相外延(OMVPE)或金属有机化学 气相沉积(MOCVD)是一种配置好的化学蒸汽沉积方法。在MOVPE中,将超纯的气体注入到 反应器中并精细配剂量以将一极薄的原子层沉积在半导体晶片上。含有所需化学元素的有 机化合物或金属有机物和氢化物的表面反应创造...
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