技术编号：8531354

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专利说明用于制备硅烷和氢卤硅烷的方法和装置相关申请的交叉参考本申请要求2013年6月14日提交的美国申请N0.13/918,609的权益，通过参考将所述申请以全文并入本文中。本公开涉及用于制备通式HySiX4_y(y = 1、2或3)的硅烷和氢卤硅烷的系统和方法的实施方案，其具有固定床催化再分配反应器。背景技术单硅烷(SiH4)、氯硅烷(H3SiCl)和二氯硅烷(H2SiCl2)是可用于生产基于高纯度结晶硅的电子器件的化学物质。这些带有硅的气体被热分解以形...
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