技术编号:8531984
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。对于作为广泛应用的功率半导体器件的Si (硅)MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)来说,击穿电压的主要决定因素是作为击穿电压保持区的漂移层能承受的电场强度的上限。由Si制成的漂移层可在馈以约0.3MV/cm或更大的电场的部分处被击穿。因此,需要将MOSFET的整个漂移层中的电场强度抑制为小于预定值。最简单的方法是提供具有低杂质浓度的漂移层。但是,这种方法不利地提供MOSFET的大导通电阻。换言之,在导通电阻和击穿电压之间存在折衷关系。对于典型的S...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。