技术编号：8539576
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。专利说明 本发明涉及AMOLED的工艺设备领域，尤其涉及一种用于制备AMOLED的PECVD装置。技术背景 在传统工业如太阳能和LCD平板显示行业中利用PECVD (等离子增强型化学气相沉积)方法制备氮化膜，氧化膜，非晶/微晶硅膜等薄膜所需要的工艺温度通常为200-280°C。在这些PECVD设备中由于要使用NF3气体进行清洗以及薄膜沉积过程中反应腔内处于高温氛围，要求腔体材料必须具有较好的防氟气腐蚀特性和优良的高温性能，目前满足这些条件的金属材料有铝...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。