技术编号：8542931
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在极紫外(EUV)光刻技术中，在EUV光辐照下，系统中的碳氢化合物会裂解产生游离碳，游离碳会被吸附沉积到光学元件的表面，形成碳污染，由于碳能吸收EUV波段辐射，反射率受影响较大，会极大影响到光学系统的工作效率。为延长EUV多层膜光学元件的使用寿命，应及时清洗光学元件表面的碳沉积污染，恢复光学元件的反射率。美国Sandial国家实验室提出采用氢原子清洗EUV多层膜表面的碳污染(Atomic hydrogen cleaning ofEUV multilayer...
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