技术编号：8544728
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明属太阳能电池浆料领域，具体涉及一种高方阻硅太阳能电池正面银电极浆 料及其制备方法。背景技术 太阳能电池是通过光电效应把光能转化成电能的装置。在半导体的P-N结上入射 的合适波长的辐射充当在该半导体中产生空穴-电子对的外部能量源。由于P-N结处存在 电势差，空穴和电子以相反的方向跨过该结移动。电子移动到负极触点，空穴移动到正极触 点，从而产生能向外部电路输送电力的电流。太阳能电池的电极触点对于电池的性能很重 要。 太阳能电池正面电极浆料是制作光电太阳...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。