技术编号：8544969
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体技术的快速发展，晶圆表面集成的器件数越来越多。为了提高集成电路的速度和降低功耗，必须采用多层布线。化学机械研磨(Chemical MechanicalPolishing, CMP)是实现特性不同的各种材料全面平坦化的最佳方法。但CMP工艺可能在晶圆表面带来许多污染，包括研磨液微粒、被研磨材料微粒和来自研磨液的化学污染。污染物可以分为三类微粒、有机物和金属离子。这些污染物必须在CMP后清除，否则会破坏下一道工艺步骤或使器件失效。目前常用的CMP后清...
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