技术编号:8544971
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现有的非晶硅本身存在很多无法避免的缺点,例如,低迀移率、低稳定性等。与非晶硅相比,低温多晶硅具有较高的迀移率和稳定性。因此,低温多晶硅技术迅速发展。然而,多晶硅的晶粒尺寸的不均匀性以及晶粒的不规则排列会引起阈值电压的不均匀性,从而影响显示面板的画面品质。发明内容为解决上述问题,本发明提供一种多晶硅薄膜和半导体器件的制备方法、显示基板及装置,用于解决现有技术中多晶硅的晶粒尺寸不均匀以及晶粒排列不规则的问题。为此,本发明提供一种多晶硅薄膜的制备方法,包括在基板...
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