技术编号：8544973
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及绝缘层上锗，尤其是涉及一种对离子注入后的Ge晶片进行机械剥离 获得柔性Ge薄膜，滚压柔性Ge膜将其与Si02/Si表面贴合，结合低温键合技术的Ge薄膜 键合制备绝缘层上锗的方法。背景技术 GOI材料具有许多独特的物理性质，集合了Ge材料较高的载流子迀移率和SOI材 料低功耗、抗辐射、耐高温等优点，而且在制造技术上与目前较成熟的硅工艺是相兼 容的，成为了一种极具吸引力的Si基新型材料。 超大规模集成电路的部分或完全耗尽型器件结构对晶片尺寸的要求为...
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